什麼是"新基建"？ 最近，存儲芯片行業好不熱鬧。韓國存儲三巨頭三星、SK海力士和美光作出決定：計劃在年內停產DDR4，全力轉向DDR5和HBM的生產。
業內主要觀點認為，其直接原因系在DDR4市場，遇到了中國存儲公司這一群"價格屠夫"。
但實際上，這些年來，價格戰時有在中韓廠商之間產生，而此次三巨頭選擇退出市場除了中國廠商發起價格戰，根本原因還是在於國產存儲芯片發展速度太快，他們希望保持住自己在高端存儲芯片上的有利地位。
要知道，2017年前， 我國並沒DRAM、NAND芯片生產能力，全部靠進口。
直到2017年，長江存儲推出了國內首款NAND閃存芯片，長鑫存儲發布了國內首款DRAM芯片。發展至今，只有七八年光景。
2023年11月28日，長鑫存儲才推出首個國產高端DRAM產品——LPDDR5系列。相比之下，SK海力士、三星、美光，在該領域已經沉澱了幾十年。
儘管從產能、技術等方面與之存在差距，但我國存儲芯片發展迅猛：
2020年：國產存儲芯片產業處於快速發展的蓄力階段，長江存儲、長鑫存儲等不斷投入研發和擴大產能，市場規模處於逐步上升通道。
2021年：全球存儲芯片市場處於上一輪週期頂點，我國在全球半導體市場規模中佔比接近28%達到1500億美元。
2022年：中商情報網數據，我國存儲芯片市場規模約5170億元，同比下降5.9%。這一年受消費電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產業進入下行週期。
2023年：我國存儲芯片市場已達到2591億元，過去五年複合增長率達到20.38%。
2024年：中國存儲芯片市場尤其強勁，規模達到276.5億美元，年增長率高達12.4%。
另外，近期的一個重磅消息是：2月24日，韓國媒體ZDNet Korea獨家報道稱，三星電子近日與長江存儲簽署了3D NAND"混合鍵合"專利許可協議，擬將其用於下一代（V10）閃存芯片開發上。
長江存儲的這項3D NAND"混合鍵合"技術被稱為"Xtacking"，已經比肩國際水平，是全球三大先進的芯片高端封裝技術之一。本次，三星在綜合考慮成本、各家技術後，最終選擇向長江存儲獲取專利授權，也證明了長江存儲的實力。
這份專利協議的簽署，將給國產存儲芯片產業鏈帶來極大的鼓舞。多少年，我國長期在存儲芯片市場仰韓國鼻息，隨著chiplet、AI芯片等技術的不斷發展，相信國產存儲芯片也一定會崛起。
此前，有外媒表示，目前中國的存儲芯片廠商已經可以滿足中國1/3的存儲芯片需求；到2026年，中國在存儲芯片上將實現50%左右的自給率。
正如一位科技資深博主"孟叔聊科技"所言，當長江存儲的芯片裝入iPhone15，當長鑫內存支撐起國產AI服務器，世界終於意識到——這場存儲革命，中國不僅是參與者，更在成為規則的塑造者。
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